Samsung abbatte il muro dei 10 nanometri: la DRAM entra in una nuova era
Secondo fonti industriali, Samsung avrebbe realizzato il primo die DRAM funzionante utilizzando un processo sotto i 10 nm, grazie a una nuova struttura 4F e transistor verticali. La tecnologia 10a promette maggiore densit� ed efficienza energetica. La produzione di massa � prevista entro il 2028, me
Secondo fonti industriali, Samsung avrebbe realizzato il primo die DRAM funzionante utilizzando un processo sotto i 10 nm, grazie a una nuova struttura 4F e transistor verticali. La tecnologia 10a promette maggiore densit� ed efficienza energetica. La produzione di massa � prevista entro il 2028, mentre il settore guarda gi� alla futura transizione verso le 3D DRAM.
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Samsung abbatte il muro dei 10 nanometri: la DRAM entra in una nuova era
Pubblicato da HWUpgrade